4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
Figure 2. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Test Circuit Component Layout ? 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)
MRFE6VP8600H
Rev. 1
CUT OUT AREA
C1
C2
L1
R1
COAX1
COAX2
C3
C4
C5
C6
L2
C7
C8*
C9
C10
L3
R2
C24
C25
C26
COAX3
COAX4
C14*
C16*
C15*
C17*
C18*
C22
C21
C20
C19
C23*
C11
C12
C13
*C8, C14, C15, C16, C17, C18 and C23 are mounted vertically.
Table 5. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Test
Circuit Component Designations and Values ? 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C9
10
μF, 50 V, Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88L
Murata
C2, C10
2.2
μF, 50 V, Chip Capacitors
C3225X7R1H225K
TDK
C3, C4, C20, C21, C23
100 pF Chip Capacitors
ATC100B101JT500XT
ATC
C5, C6
24 pF Chip Capacitors
ATC100B240JT500XT
ATC
C7
0.8--8.0 pF Variable Capacitor
27291SL
Johanson Components
C8
12 pF Chip Capacitor
ATC100B120JT500XT
ATC
C11, C24
2.2
μF, 100 V, Chip Capacitors
C3225X7R2A225KT
TDK
C12, C25
4.7
μF, 100 V, Chip Capacitors
GRM55ER72A475KA01B
Murata
C13, C26
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
C14
6.8 pF Chip Capacitor
ATC100B6R8CT500XT
ATC
C15
3.0 pF Chip Capacitor
ATC100B3R0CT500XT
ATC
C16
2.7 pF Chip Capacitor
ATC100B2R7BT500XT
ATC
C17
3.9 pF Chip Capacitor
ATC100B3R9CT500XT
ATC
C18
5.1 pF Chip Capacitor
ATC100B5R1CT500XT
ATC
C19, C22
1000 pF Chip Capacitors
ATC100B102JT50XT
ATC
Coax1, 2, 3, 4
25
?
SemiRigid Coax, Length 2.0?
UT--141C--25
Micro--Coax
L1, L3
5.0 nH, 2 Turn Inductors
A02TKLC
Coilcraft
L2
2.5 nH, 1 Turn Inductor
A01TKLC
Coilcraft
R1, R2
10
?, 1/4 W Chip Resistors
CRCW120610R0JNEA
Vishay
PCB
0.030″,
εr
=3.5
RO4350B
Rogers
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRFG35002N6AT1
TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
MRFG35002N6T1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5
TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003ANT1
TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003M6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1
TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
MRFG35003N6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
相关代理商/技术参数
MRFE6VS25GNR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25LR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor
MRFE6VS25NR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25NR1-CUT TAPE
制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VS Series 2000 MHz 25 W 50 V N-Channel RF Power Mosfet - TO-270-2
MRFG35002N6AT1
功能描述:射频GaAs晶体管 1.5W 6V GAAS FET PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35002N6R5
功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1
功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR